[发明专利]肖特基势垒二极管的制造方法无效
| 申请号： | 03152820.1 | 申请日： | 2003-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN1514495A | 公开（公告）日： | 2004-07-21 |
| 发明（设计）人： | 吴念博 | 申请（专利权）人： | 苏州固锝电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 马明渡 |
| 地址： | 215153江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种肖特基势垒二极管的制造方法，包括将金属A淀积在硅外延片上形成肖特基势垒的工艺，再在金属A上淀积金属B作为上部电极[1]的工艺，其特征在于：在硅外延片上形成金属A肖特基势垒过程中，至少采用两种不同淀积速度形成，其中，最初的淀积速度控制在10/秒以下，下一步的淀积速度控制在50/秒以下；在金属A上淀积金属B时，最初采用逐渐过渡的方法形成一个由金属A过渡到金属B的双金属混合过渡层[7]。本发明一方面通过降低金属A的淀积速度来减少反向漏电流。另一方面通过一个逐渐过渡的双金属混合过渡层，来降低金属A厚度，从而减少正向电能损耗，因此获得了一种低功耗的器件。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基势垒二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种肖特基势垒二极管的制造方法，包括将金属A淀积在硅外延片上形成肖特基势垒的工艺，再在金属A上淀积金属B作为上部电极[1]的工艺，其特征在于：在硅外延片上形成金属A肖特基势垒过程中，至少采用两种不同淀积速度形成，其中，最初的淀积速度控制在10/秒以下，下一步的淀积速度控制在50/秒以下；在金属A上淀积金属B时，最初采用逐渐过渡的方法形成一个由金属A过渡到金属B的双金属混合过渡层[7]。
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