[发明专利]半导体元件的锡焊方法与半导体装置有效
申请号: | 03152401.X | 申请日: | 2003-07-25 |
公开(公告)号: | CN1525545A | 公开(公告)日: | 2004-09-01 |
发明(设计)人: | 山下信三 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L25/00;H05K13/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 杨凯;王忠忠 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种使从封装中引出引线的多个半导体元件的预定的引线贯穿共同连接板,把该引线的端头锡焊到所述共同连接板的锡焊面上,同时不在所述共同连接板的一端附着焊锡的半导体元件的锡焊方法,该方法谋求锡焊加工生产率的提高。其解决手段是:设置弯折所述共同连接板的弯折部,使得在引线端头和锡焊该引线端头的共同连接板的锡焊面浸渍到锡焊槽内的熔化焊锡上时,位于所述共同连接板的一端的非锡焊区域不与熔化的焊锡接触。 | ||
搜索关键词: | 半导体 元件 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种使设有封装和从所述封装中引出的引线的多个半导体元件的预定的所述引线贯穿具有锡焊区域和非锡焊区域的共同连接板的所述锡焊区域部分,把所述预定的引线的端头锡焊在所述锡焊区域的锡焊面上的半导体元件的锡焊方法,其特征在于包括如下工序:延伸至所述锡焊面的一端的所述非锡焊区域部分在第一弯折部弯折,以比所述锡焊面凹下的第一弯折工序;在所述第一弯折工序后,在使所述非锡焊区域部分不浸渍于锡焊槽的状态下,使所述预定的引线端头和所述锡焊面浸渍于焊锡槽的上层部分来锡焊的浸渍锡焊工序;以及在所述浸渍锡焊工序后,弯折所述共同连接板,以使所述非锡焊区域部分的端头部分比所述锡焊面突出的第二弯折工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造