[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 03152295.5 | 申请日： | 2003-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN1581450A | 公开（公告）日： | 2005-02-16 |
| 发明（设计）人： | 曹义昌 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/20;H01L21/324;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，包括以下步骤：提供基板；接着，形成缓冲层于基板上；然后，形成低表面自由能材料于缓冲层上；接着，形成第一非晶硅层于低表面自由能材料上；然后，以激光回火法全熔第一非晶硅层，并致使液态的第一非晶硅层于低表面自由能材料上形成均匀分散的数个多晶硅晶种；接着，形成第二非晶硅层于低表面自由能材料之上，以覆盖多晶硅晶种；然后，以激光回火法全熔第二非晶硅层，并致使液态的第二非晶硅层藉由多晶硅晶种结晶成多晶硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，至少包括：提供一基板；形成一缓冲层于该基板上；形成一低表面自由能材料于该缓冲层的表面上；形成一第一非晶硅层于该低表面自由能材料上；以激光回火法全熔该第一非晶硅层，并致使液态的该第一非晶硅层于该低表面自由能材料上形成均匀分散的多个多晶硅晶种；形成一第二非晶硅层于该低表面自由能材料之上，以覆盖这些多晶硅晶种；以及以激光回火法全熔该第二非晶硅层，并致使液态的该第二非晶硅层藉由这些多晶硅晶种结晶成一多晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
