[发明专利]形成贯穿衬底的互连的方法无效
| 申请号： | 03152218.1 | 申请日： | 2003-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN1499607A | 公开（公告）日： | 2004-05-26 |
| 发明（设计）人： | A·法塔斯 | 申请（专利权）人： | 惠普开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖春京 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明披露了一种制造微电子器件的贯穿衬底的互连(42)的方法，该器件包括具有正面和背面的衬底(30)。该方法的一些实施例包括：在衬底(30)的正面形成电路元件(34)；在衬底的背面形成延伸到电路元件(34)的沟槽(38)；在沟槽(38)中形成绝缘聚合材料层(40)；从绝缘聚合材料层(40)去除足够量的聚合材料，以至少部分露出电路元件(34)；和在沟槽(38)中形成导电互连层(42)，其中，互连层(42)与电路元件(34)电连通。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 贯穿 衬底 互连 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造微电子器件的贯穿衬底的互连(42)的方法(10)，该器件包括具有正面和背面的衬底(30)，该方法包括：在衬底(30)的正面形成电路元件(34)；在衬底的背面形成延伸到电路元件(34)的沟槽(38)；在沟槽(38)中形成绝缘聚合材料层(40)；从绝缘聚合材料层(40)去除足够量的聚合材料，以至少部分露出电路元件(34)；和在沟槽(38)中形成导电互连层(42)，其中，导电互连层(42)与电路元件(34)电连通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
