[发明专利]集成电路的倾斜镶嵌内连接结构的形成方法有效
| 申请号： | 03151282.8 | 申请日： | 2003-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN1601721A | 公开（公告）日： | 2005-03-30 |
| 发明（设计）人： | 汪钉崇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/31;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 上海隆天新高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 谢晋光 |
| 地址： | 201203上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种集成电路倾斜双镶嵌内连接结构的形成方法，该方法包括：形成一第一介电层于一铜金属插塞(plug)结构之上；然后，形成一绝缘层于上述第一介电层之上；之后，形成至少一个低介电常数(k)所构成的第二介电层于上述绝缘层之上；接着，第一次蚀刻上述第二介电层、绝缘层与第一介电层，结果于上述铜金属插塞(plug)之上形成一介层洞(via)与沟渠；最后，第二次蚀刻上述第二介电层与绝缘层以形成本发明的倾斜镶嵌内连接结构。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 倾斜 镶嵌 连接 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路的倾斜双镶嵌内连接结构的形成方法，包括：形成一第一介电层于一金属插塞结构之上；形成一绝缘层于该第一介电层之上；形成至少一个低介电常数k所构成的第二介电层于该绝缘层之上；第一次蚀刻该第二介电层、该绝缘层与该第一介电层，结果在该金属介层洞之上形成一介层洞与沟渠；以及第二次蚀刻该第二介电层与该绝缘层以形成该倾斜双镶嵌内连接结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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