[发明专利]利用逆向离子植入方式形成高压互补式金属氧化物半导体的方法无效
| 申请号： | 03150607.0 | 申请日： | 2003-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN1591830A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 高荣正 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/762;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种利用逆向离子植入方式形成高压互补式金属氧化物半导体的方法，其是将高压金属氧化物半导体(High Voltage CMOS)结构的掺杂井区及N型和P型漂移区以逆向(Retrograde)离子植入方式，于场氧化隔离结构形成后再以高电压离子植入方式形成此些掺杂区。本发明所形成的高压CMOS系具有更好电性特性，且耐崩溃电压更高，驱动电流亦更大，并使整体元件面积缩小许多。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 逆向 离子 植入 方式 形成 高压 互补 金属 氧化物 半导体 方法 | ||
【主权项】：
1、一种利用逆向离子植入方式形成高压互补式金属氧化物半导体的方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一半导体基底，其上可形成有隔离结构及一牺牲氧化层；利用逆向离子植入方式，以高电压离子植入形成重掺杂井区，以及淡掺杂的N型漂移区域与P型漂移区域；经热制程处理，使掺杂离子驱入该半导体基底中，而后移除该牺牲氧化层；在该半导体基底上形成一栅极氧化层，并利用微影蚀刻制程形成多晶硅栅极结构；及于该多晶硅栅极结构二侧的半导体基底中进行离子植入步骤，而分别在该N型漂移区域与该P型漂移区域内形成重N型掺杂区域及重P型掺杂区域，以作为源/漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
