[发明专利]一种制备SON型场效应晶体管的方法有效
| 申请号： | 03149753.5 | 申请日： | 2003-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN1479354A | 公开（公告）日： | 2004-03-03 |
| 发明（设计）人： | 卜伟海;黎明;黄如;王阳元 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 10087*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制备SON型场效应晶体管的新方法，包含以下步骤：(1)形成有源区；(2)利用氦或者氢氦联合注入经退火在有源区下面形成空洞层；(3)制备栅介质、栅电极、源漏扩展区、侧墙；(4)离子注入对源漏进行掺杂；(5)使源漏区体积膨胀填充源漏下方的空洞层；(6)完成后续步骤，直至SON器件制作完毕。本发明的制备方法中，利用了氦或者氢氦注入形成空洞技术和材料体积膨胀技术来自然形成SON器件结构，工艺简便，易于实现电路集成。同时可以和常规CMOS工艺完全兼容，便于移植到工业生产上，降低工艺复杂度，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 son 场效应 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备SON型场效应晶体管的方法，其特征在于包含以下步骤：(1)形成有源区；(2)利用氦或者氢氦联合注入经退火在有源区下面形成空洞层；(3)制备栅介质、栅电极、源漏扩展区、侧墙；(4)离子注入对源漏进行掺杂；(5)使源漏区体积膨胀填充源漏下方的空洞层；(6)完成后续步骤，直至SON器件制作完毕。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
