[发明专利]等离子体处理装置以及等离子体处理方法有效
| 申请号： | 03149536.2 | 申请日： | 2003-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN1477682A | 公开（公告）日： | 2004-02-25 |
| 发明（设计）人： | 里吉务 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/00;G02F1/13 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳;沙捷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供可以抑制直流放电等的异常放电，并消除在施加有用于静电吸着的直流电压的电极上存在介电体膜时产生问题的等离子体处理装置及其方法，对介电性被处理基板(G)进行等离子体处理的等离子体处理装置包含：直接载置被处理基板(G)的电极(4)；将电极(4)上的被处理基板(G)的周缘向电极(4)方向推压的推压机构(7)；在被处理基板(G)的周边，供给处理气体的处理气体供给机构(19)；在被处理基板(G)的周边生成处理气体的等离子体气体的等离子体生成手段(26)；与电极(4)连接、在电极(4)上施加直流电压的直流电源(6)，推压机构(7)推压电极(4)上的基板(G)的周缘，在该状态下，在电极(4)上施加直流电压，吸着被处理基板(G)。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置，它是对介电性被处理基板进行等离子体处理的等离子体处理装置，其特征为，具有：直接载置被处理基板的电极；将所述电极上的被处理基板的周缘向所述电极方向推压的推压机构；在被处理基板附近供给处理气体的处理气体供给机构；在被处理基板附近生成处理气体的等离子体的等离子体生成手段；以及与所述电极连接、在所述电极上施加直流电压的电流电源。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
