[发明专利]扁平型超电容的结构及封装方法无效
| 申请号： | 03149327.0 | 申请日： | 2003-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN1567491A | 公开（公告）日： | 2005-01-19 |
| 发明（设计）人： | 蔡克已;黄俊辉;成诗宋 | 申请（专利权）人： | 国际超能源高科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01G9/00 | 分类号： | H01G9/00;H01G9/155;H01G13/00;H01G2/10 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 潘培坤;楼仙英 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种扁平型超电容的结构及封装方法，是采用串联式堆叠法(Bipolar Structure)将超电容以上、下错位的方式堆叠后，再予以封装，使其呈扁平化，可减少超电容成品的体积，其封装的过程是先将电极板裁切成适当尺寸、在电极板周围点注胶墙、采取串联式上下错位堆叠、灌注电解液、热封、加压、加热聚合胶墙、制成超电容，该制成品可应用于厚度较小的空间，如PDA、手机等。 | ||
| 搜索关键词： | 扁平 电容 结构 封装 方法 | ||
【主权项】：
1.一种扁平型超电容的封装方法，其特征在于，所述封装方法至少包含下列的步骤：(1)裁切标准规格的电极板；(2)在电极板上周边点胶以形成胶墙；(3)上、下两列相对并以错位方式堆叠；(4)置入模具中真空处理后并灌注电解液；(5)加压；以及(6)软熔热封使上、下电极板间的胶墙密合后即可完成。
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