[发明专利]抛光方法和设备无效
| 申请号: | 03149104.9 | 申请日: | 1995-09-13 |
| 公开(公告)号: | CN1516247A | 公开(公告)日: | 2004-07-28 |
| 发明(设计)人: | 森山茂夫;山口克彦;本間喜夫;松原直;石田吉弘;河合亮成 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B24B1/00 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 朱德强 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明涉及一种抛光方法及适用于此抛光方法的抛光设备,该方法利用包括磨料颗粒和粘合磨料颗粒的粘合树脂的磨石。利用粘合磨料颗粒的树脂,可以获得具有所需弹性模量的磨石。用此磨石,可以使有凹凸部分的衬底表面变平坦均匀,但与这些凹凸部分的尺寸无关。另外,首先用小弹性模量的抛光工具抛光衬底表面,然后用大弹性模量的抛光工具进行抛光,可以获得损伤减少的抛光表面。本发明的方法可以有效地平面化具有凹凸部分的各种衬底。 | ||
| 搜索关键词: | 抛光 方法 设备 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件制造方法,用于通过对一形成在一半导体衬底的一表面上的薄膜进行抛光来平面化该半导体衬底的该表面,该半导体衬底在其一主表面上具有凹凸图形,包括下列步骤:将带有形成在其上的该薄膜的该半导体衬底的该表面压靠到一抛光工具的一表面;以及通过在该半导体衬底的该表面与该抛光工具的该表面之间的相对运动平面化在该半导体衬底上的凹凸图形;其中,该抛光工具是磨石,该磨石包括磨料颗粒和一用于粘合和固定该磨料颗粒的材料,该磨石的弹性模量为5-500kg/mm2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





