[发明专利]激光光源控制法及其装置、曝光法及其设备和器件制造法无效
申请号: | 03149005.0 | 申请日: | 2003-06-19 |
公开(公告)号: | CN1472777A | 公开(公告)日: | 2004-02-04 |
发明(设计)人: | 服部修 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/20;G03F7/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 武玉琴;顾红霞 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 在存储器中储存预定范围内的激光光源振荡频率的信息,其中预定范围在考虑到了激光光源输出质量之后包含可用的振荡频率,信息例如是关于振荡频率和输出质量之间的关系。然后,当根据储存在存储器中的信息控制激光光源时,规定激光光源输出质量衰减或变得良好的特定频率范围,并且判断使用的振荡频率f是否处于特定的频率范围。然后根据该判断结果设置振荡频率,避开输出质量衰减的频率范围,或是根据判断结果将振荡频率设置到输出质量变为良好的频率范围内。由此可以使用输出质量总是良好的激光光源。 | ||
搜索关键词: | 激光 光源 控制 及其 装置 曝光 设备 器件 制造 | ||
【主权项】:
1.一种控制振荡频率可变的激光光源的激光光源控制法,所述方法包括:获取过程,获得预定范围中所述激光光源的振荡频率信息,其中预定范围在考虑到所述激光光源输出质量的前提下包含一个可用振荡频率;和控制过程,根据获得的所述信息控制所述激光光源振荡时影响振荡环境的振荡环境影响因素。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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