[发明专利]采用掺杂半导体层作为布线的半导体加速度传感器无效
| 申请号： | 03148775.0 | 申请日： | 2003-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN1480733A | 公开（公告）日： | 2004-03-10 |
| 发明（设计）人： | 吉田仁;片冈万士;若林大介;后藤浩嗣 | 申请（专利权）人： | 松下电工株式会社 |
| 主分类号： | G01P15/12 | 分类号： | G01P15/12;H01L49/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 潘培坤;楼仙英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种半导体加速度传感器，能防止在加速度传感器中使用金属层布线时感应的不希望的热应力产生的加速度检测精度下降的能力。这个传感器包括框架、平衡块、由半导体材料制成的至少一对横梁、以及形成在所述横梁的每个上的至少一个电阻器元件，所述平衡块经过横梁被支撑在所述框架中，由此，根据所述电阻器元件的压电效应检测加速度。该传感器还包括形成在每个所述横梁的顶表面中的掺杂半导体层，并作为用于与所述电阻器元件电连接的布线。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 掺杂 半导体 作为 布线 加速度 传感器 | ||
【主权项】：
1、一种半导体加速度传感器，包括：框架、平衡块、由半导体材料制成的至少一对横梁、以及形成在所述横梁的每个上的至少一个电阻器元件，所述平衡块经过横梁被支撑在所述框架中，由此，根据所述电阻器元件的压电效应检测加速度，其中该半导体层加速度传感器包括形成在每个所述横梁的顶表面中的掺杂半导体层，并作为用于与所述电阻器元件电连接的布线。
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