[发明专利]微结构之制造方法及微结构之排列有效
| 申请号： | 03148761.0 | 申请日： | 2003-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN1495880A | 公开（公告）日： | 2004-05-12 |
| 发明（设计）人： | Z·加布里;W·帕姆勒;S·施瓦尔滋 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;B81B1/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;张志醒 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提出一种称为“蜂巢式波纹法”(zellulareDamascene－Methode)的方法，这种方法是在一个图案层内形成许多规则排列的封闭空腔(H)。这些空腔的尺寸与待形成的微结构尺寸属于同一个数量级。透过一个罩幕可将被选出的空腔(H’)打开，然后将位于这些空腔(H’)之间的分隔墙(4)去除，这样就可以形成沟槽(8)及通孔，然后以构成待形成之微结构(M)的材料(M)将这些沟槽(8)及通孔填满。接着再经由化学机械(CMP)步骤将多余的材料(M)去除。微结构特别为集成电路之互联机路及接触孔。 | ||
| 搜索关键词： | 微结构 制造 方法 排列 | ||
【主权项】：
1.一种制造微结构的方法，这种方法包括以下的步骤：a)使设置于基材(S)上的一个图案层(2，S1，S2，S3)内的封闭空腔(H)形成一有规则的排列，其中空腔(H)与空腔(H)之间彼此被分隔墙(4)隔开；b)将要在其内形成微结构(M)的空腔(H’)打开；c)至少去除掉一部分相邻之开放空腔(H’)之间的分隔墙(4)，以形成延伸范围至少达两个空腔(H’)的沟槽(8)；d)将材料(M)填入沟槽(8)内以形成微结构(M)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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