[发明专利]具有硅氧化膜的半导体装置无效
| 申请号： | 03148651.7 | 申请日： | 2003-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN1469489A | 公开（公告）日： | 2004-01-21 |
| 发明（设计）人： | 周藤祥司 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/105 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 胡烨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种可使运行寿命提高的半导体装置。该半导体装置具有第1导电层、第2导电层及在第1导电层和第2导电层之间形成的导入了氯的硅氧化膜。这样在电子注入硅氧化膜的初期阶段，可抑制硅氧化膜中的电子陷阱的生成，同时会产生许多空穴。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 氧化 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.半导体装置，其特征在于，具有第1导电层、第2导电层以及在上述第1导电层和上述第2导电层之间形成的导入了氯的硅氧化膜。
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