[发明专利]使半导体沉积层平整的方法有效
| 申请号： | 03148401.8 | 申请日： | 2003-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN1567540A | 公开（公告）日： | 2005-01-19 |
| 发明（设计）人： | 林经祥;廖振伟;杨云祺;洪永泰;陈俊甫 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;杨梧 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种使半导体沉积层平整的方法，首先，提供一基材；接着，用高密度等离子化学气相沉积法在基材上形成一半导体沉积层；然后，用溅射蚀刻法处理上述半导体沉积层表面；接着，用化学机械研磨法使上述半导体沉积层表面平整。本方法用溅射蚀刻处理半导体沉积层表面，可以提高化学机械研磨机研磨上述半导体沉积层的研磨效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 沉积 平整 方法 | ||
【主权项】：
1.一种使半导体沉积层平整的方法，至少包括下述步骤：提供一基材；用高密度等离子化学气相沉积法(high density plasma chemical vapordeposition，HDP CVD)在上述基材上形成一半导体沉积层；用溅射蚀刻法(sputter etching)处理上述半导体沉积层表面；以及用化学机械研磨法(chemical mechanical polishing，CMP)使半导体沉积层的表面平整。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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