[发明专利]高介电常数Ta2O5基陶瓷的瞬时调控功率激光制备方法无效
| 申请号: | 03148245.7 | 申请日: | 2003-07-04 |
| 公开(公告)号: | CN1480427A | 公开(公告)日: | 2004-03-10 |
| 发明(设计)人: | 蒋毅坚;季凌飞 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
| 主分类号: | C04B35/495 | 分类号: | C04B35/495;C04B35/622;C04B35/64;C04B35/46;H01B3/12 |
| 代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张慧 |
| 地址: | 100022*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 一种高介电常数Ta2O5基陶瓷的瞬时调控功率激光制备方法,属于陶瓷材料制备领域。其特征在于,它包括以下步骤采用大功率激光作为直接辐照源原位或扫描辐照Ta2O5基陶瓷坯体,以190~350w/cm2的低功率密度在30~185s时间内对Ta2O5基陶瓷坯体进行激光辐照预热;预热结束后,调节激光功率密度瞬时升到烧结功率密度值850~1405w/cm2,进行烧结;经过25~95s的烧结后,激光关光,样品冷却成瓷。本发明制备的Ta2O5基陶瓷介电常数显著提高,介电损耗小,制备时间短,过程易于控制,工艺重复性高,可实现无污染烧结,制备样品的纯度高。 | ||
| 搜索关键词: | 介电常数 ta sub 陶瓷 瞬时 调控 功率 激光 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种高介电常数Ta2O5基陶瓷的瞬时调控功率激光制备方法,其特征在于,它包括以下步骤:(1)、采用大功率激光作为直接辐照源原位或扫描辐照Ta2O5基陶瓷坯体,以190~350w/cm2的低功率密度在30~185s时间内对Ta2O5基陶瓷坯体进行激光辐照预热;(2)、预热结束后,调节激光功率密度瞬时升到烧结功率密度值850~1405w/cm2,进行烧结;(3)、经过25~95s的烧结后,激光关光,样品冷却成瓷。
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