[发明专利]高介电常数Ta2O5基陶瓷的连续调控功率激光制备方法无效
| 申请号： | 03148244.9 | 申请日： | 2003-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN1460657A | 公开（公告）日： | 2003-12-10 |
| 发明（设计）人： | 蒋毅坚;季凌飞 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/495 | 分类号： | C04B35/495;C04B35/622;C04B35/64;C04B35/46;H01B3/12 |
| 代理公司： | 北京工大思海专利代理有限责任公司 | 代理人： | 张慧 |
| 地址： | 100022 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种高介电常数Ta2O5基陶瓷的连续调控功率激光制备方法，属于陶瓷材料制备领域。其特征在于，它包括以下步骤：采用大功率激光作为直接辐照源原位或扫描辐照Ta2O5基陶瓷坯体，在10～60s的时间内将激光功率密度从初值20～40w/cm2连续提高到烧结功率密度值640～1062w/cm2，开始烧结；经过3～60s的烧结后，在10～60s的时间内连续降低激光功率密度至初值；激光关光，样品冷却成瓷。本发明制备的Ta2O5基陶瓷介电常数显著提高，介电损耗小，制备时间短，过程易于控制，工艺重复性高，可实现无污染烧结，制备样品的纯度高。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 ta2o5 陶瓷 连续 调控 功率 激光 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高介电常数Ta2O5基陶瓷的连续调控功率激光制备方法，其特征在于，它包括以下步骤：(1)采用大功率激光作为直接辐照源原位或扫描辐照Ta2O5基陶瓷坯体，在10～60s的时间内将激光功率密度从初值20～40w/cm2连续提高到烧结功率密度值640～1062w/cm2，开始烧结；(2)经过3～60s的烧结后，在10～60s的时间内连续降低激光功率密度至初值；(3)激光关光，样品冷却成瓷。
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