[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 03147849.2 | 申请日： | 2003-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN1479383A | 公开（公告）日： | 2004-03-03 |
| 发明（设计）人： | 菊地修一;上原正文;西部荣次;安斋胜义 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/04;H01L21/336;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李贵亮;杨梧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置及其制造方法，提高高耐压MOS晶体管的静电破坏耐量。在MOS晶体管的N+型漏层(9)下不形成N－型漏层(11)，且在N+型漏层(9)下的区域形成P+型埋入层(11)。在N+型漏层(9)和P+型埋入层(11)之间形成高浓度的PN结。即，局部形成结耐压小的区域。因此，在栅极(6)下的N－型漏层(2)热破坏前，浪涌电流通过该PN结逃逸到硅衬底1。其结果可提高ESD耐量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：第一导电型半导体衬底；在该半导体衬底的表面配置的栅绝缘膜；在该栅绝缘膜上配置的栅极；邻接于该栅极的一端，并配置在所述半导体衬底的表面的第二导电型的源层；自所述栅极的另一端离开，配置在所述半导体衬底的表面的第二导电型的高浓度漏层；在该高浓度漏层和所述栅极的另一端之间，配置在所述半导体衬底的表面的第二导电型的低浓度漏层；在比所述高浓度漏层更深的区域配置的与该高浓度漏层构成PN结的第一导电型埋入层。
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