[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置，设置着具有半导体基板(11)、源极区(16)、漏极区(17)、栅电极(19)的N型MISFET(12)，在半导体基板(11)上设置着覆盖N型MISFET(12)的第1层间绝缘膜(13)、第2层间绝缘膜(14)、第3层间绝缘膜(15)。在第1层间绝缘膜(13)上，介有第2层间绝缘膜(14)的一部分而平行设置着旨在将栅电极(19)与外部电连接的第2栅极布线(25)和旨在将漏极区与外部电连接的第1漏极布线(26)。从而可提供静电保护能力高的半导体装置及其制造方法。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于：包括：半导体层；在所述半导体层中设置的源极区；在所述半导体层中与所述源极区相离设置的漏极区；在所述半导体层上设置的栅电极绝缘膜；在所述栅电极绝缘膜上设置的栅电极；在所述半导体层上设置的覆盖所述栅电极的第1层间绝缘膜；在所述第1层向绝缘膜上设置，并与所述栅电极电连接的第1栅极布线；在所述第1层向绝缘膜上设置，并与所述漏极区电连接的第1漏极布线；以及在所述第1层向绝缘膜上设置，并覆盖所述第1栅极布线和所述第1漏极布线的第2层间绝缘膜，所述第1漏极布线中的一部分与所述第1栅极布线中的一部分，隔着所述第2层间绝缘膜的一部分，沿着栅极宽度方向相对向地延伸。