[发明专利]磁控溅射靶的制造方法及该方法使用的模具无效
| 申请号： | 03147652.X | 申请日： | 2003-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN1570198A | 公开（公告）日： | 2005-01-26 |
| 发明（设计）人： | 尹志岗;杨霏;陈诺夫;吴金良;柴春林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;B22F3/16 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种磁控溅射靶制造方法使用的模具，其特征在于，包括：一套筒，该套筒为管状，其一端的内侧有一圈凹缺；一圆柱体，该圆柱体的直径与套筒的内径相同，该圆柱体容置在套筒内；一靶托，该靶托为盘状，中间有一凹部，其直径与套筒下部的凹缺的内径相同，该靶托容置在套筒的凹缺内。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 制造 方法 使用 模具 | ||
【主权项】：
1、一种磁控溅射靶的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)选粉：选取与期望制备的薄膜相应高纯粉体；(2)预烧：将原始粉体置于石英舟中，用石英板盖好，送入炉中；(3)研磨；(4)将预烧粉倒入模具内，摇匀；(5)在模具内滴入丙酮，使之分布均匀；(6)压力机压制；(7)烧制固化，完成磁控溅射靶的制造。
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