[发明专利]制造绝缘体上硅锗衬底材料的方法以及该衬底

摘要

提供一种形成驰豫的绝缘体上SiGe衬底的方法，该衬底具有增强的驰豫、显著降低的缺陷密度和改进的表面质量。该方法包括在第一单晶Si层的表面上形成SiGe合金层。该第一单晶Si层与下面的阻挡层具有界面，该阻挡层抗Ge扩散。然后，在所述界面处或其附近将能够形成缺陷的离子注入到结构中，该缺陷允许机械退耦，此后对包括注入离子的结构进行加热步骤，允许Ge互扩散到整个第一单晶Si层和SiGe层，以便在阻挡层的顶上形成显著驰豫的、单晶和均匀的SiGe层。还提供了具有改进性能的绝缘体上SiGe衬底以及包含该衬底的异质结构。

主权项

1.一种制备绝缘体上SiGe衬底材料的方法，包括步骤：在第一单晶Si层的表面上形成SixGe1-x层，其中x＝0或小于1的数，所述第一单晶Si层具有与下面的阻挡层的界面，该阻挡层抵抗Ge扩散，在所述界面或其附近将能够形成缺陷的离子注入到所述层中，这些缺陷允许机械退耦，在以下温度下加热所述层，该温度允许所述层内应变驰豫和随后的Ge互扩散到整个第一单晶Si层和SixGe1-x层中以便在阻挡层的顶上形成显著驰豫的、单晶SiGe层。