[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 03147496.9 | 申请日： | 2003-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN1476095A | 公开（公告）日： | 2004-02-18 |
| 发明（设计）人： | 国分弘一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L27/108;H01L21/822 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体器件由以下部分构成：具有第一导电类型的半导体衬底；设置在所述半导体衬底中，具有电荷存储区域的沟槽电容器；在所述半导体衬底上隔着栅绝缘膜设置的栅电极；在所述栅电极的侧面上形成的栅侧壁绝缘膜；设置在所述半导体衬底中，具有第二导电类型的漏区和源区；与所述沟槽电容器相邻，覆盖所述电荷存储区域的上面而设置在所述半导体衬底中的元件分离绝缘膜；在所述半导体衬底中，设置为把所述电荷存储区域的上部与所述源区电连接，具有所述第二导电类型的掩埋带区域；位于所述漏区和源区下，从所述掩埋带区域分开设置，具有所述第一导电类型的袋注入区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：具有第一导电类型的半导体衬底；设置在所述半导体衬底中，具有电荷存储区域的沟槽电容器；在所述半导体衬底上隔着栅绝缘膜设置的栅电极；在所述栅电极的侧面上形成的栅侧壁绝缘膜；设置在所述半导体衬底中，具有第二导电类型的漏区和源区；与所述沟槽电容器相邻，覆盖所述电荷存储区域的上面而设置在所述半导体衬底中的元件分离绝缘膜；在所述半导体衬底中，设置为把所述电荷存储区域的上部与所述源区电连接，具有所述第二导电类型的掩埋带区域；位于所述漏区和源区下，从所述掩埋带区域分开设置，具有所述第一导电类型的袋注入区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
