[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 03147048.3 | 申请日： | 2003-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN1495885A | 公开（公告）日： | 2004-05-12 |
| 发明（设计）人： | 小山内润 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 叶恺东 |
| 地址： | 日本千叶*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供一种廉价、元件特性稳定的双栅CMOS半导体器件的制造方法。本发明通过双栅CMOS半导体器件的制造方法中，在构成栅电极的多晶硅中以绝缘膜为掩膜，利用多晶硅淀积方法选择形成N型区域后，除去绝缘膜、在整个表面上离子注入P型杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于该方法包括：在半导体基板上形成元件分离区域和栅绝缘膜的工序，然后在上述元件分离区域和上述栅绝缘膜上形成构成栅电极的多晶硅的工序，在上述多晶硅膜上形成绝缘膜的工序，然后为了在成为PMOS区域之外的区域上开窗口，对上述绝缘膜构图的工序，在扩散炉内、在N型杂质气氛中热处理，使得上述多晶硅膜的上述绝缘膜窗口区域成为N型的工序，去除上述已构图的绝缘膜的工序，利用离子注入方法，在上述多晶硅膜的整个表面上引入P型杂质的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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