[发明专利]感应耦合等离子体处理装置有效
| 申请号: | 03146075.5 | 申请日: | 2003-07-21 |
| 公开(公告)号: | CN1477678A | 公开(公告)日: | 2004-02-25 |
| 发明(设计)人: | 里吉务 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/3065;G02F1/136 |
| 代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明提供一种感应耦合等离子体处理装置,不增大电介质壁的支持部分,且不增厚电介质壁就可以抑制包含电介质壁的、分隔处理室和天线室之间的分隔结构的翘曲。该处理装置由下述构件构成:对基板施以等离子体处理的处理室,向处理室内供给处理气体的处理气体供给系统,对处理室内进行排气的排气系统,构成处理室上部壁的电介质壁,在电介质壁上方设置的高频天线,在处理室的上方设置的、由电介质壁形成底壁的、收容高频天线的天线室,把天线室分隔成多个小室的、由天线室的侧壁支持的垂直壁;电介质壁与多个小室对应分割成多片,电介质壁的各分割片由天线室的侧壁和垂直壁支持。 | ||
| 搜索关键词: | 感应 耦合 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种感应耦合等离子处理装置,其特征为,包含以下部件:保持为气密的、对被处理基板施以等离子体处理的处理室;向所述处理室内供给处理气体的处理气体供给系统;对所述处理室内进行排气的、使所述处理室内形成减压状态的排气系统;构成所述处理室的上部壁的电介质壁;设置在所述电介质壁上方的、用于通过供给高频电力而在所述处理室内形成感应电场的高频天线;设置在所述处理室上方的、由所述电介质壁形成底壁的、收容所述高频天线的天线室;和把所述天线室分隔成多个小室的、被所述天线室侧壁支持的垂直壁,所述电介质壁与所述多个小室对应分割为多片,所述电介质壁的各分割片由所述天线室的侧壁和所述垂直壁支持。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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