[发明专利]掺钕硼酸钪锶钆激光晶体及其制备方法无效
| 申请号： | 03145670.7 | 申请日： | 2003-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN1566412A | 公开（公告）日： | 2005-01-19 |
| 发明（设计）人： | 胡祖树;王国富;林州斌;张莉珍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B15/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 掺钕硼酸钪锶钆激光晶体及其制备方法，涉及人工晶体领域，特别是涉及一种激光晶体掺钕硼酸钪锶钆及其制备方法。采用提拉法生长，生长温度1316℃左右，5－20转/分钟的晶体转速，0.5－2毫米/小时的拉速。该晶体属R3空间群，密度为4.237g/cm3，折射率1.73。该晶体在806nm处有一强的吸收峰，吸收系数为9.0cm－1，半峰宽23.0nm，吸收截面1.2×10－19cm2，适合于采用激光二极管(LD)来泵浦；另外，其在波长1060nm有强的荧光发射峰，发射跃迁截面为2.4×10－19cm2，半峰宽30.5nm，易于产生波长为1060nm的激光输出。用该晶体制成的固体激光器可用于光谱学、生物医学、军事等诸多领域中。 | ||
| 搜索关键词： | 硼酸 钪锶钆 激光 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种掺钕硼酸钪锶钆激光晶体，其特征在于：该晶体的分子式为Nd3+:GdSr6Sc(BO3)6，属于三方晶系，空间群为R3，晶胞参数为a＝12.415(2)，c＝9.274(2)，z＝3，V＝1238.0(4)3，Dc＝4.237g/cm3，折射率1.73。
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