[发明专利]利用无引线电镀工艺制造的封装基片及其制造方法无效
申请号: | 03143628.5 | 申请日: | 2003-07-28 |
公开(公告)号: | CN1525544A | 公开(公告)日: | 2004-09-01 |
发明(设计)人: | 李宗辰;申荣焕 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H05K3/00;H01L23/12 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 谢丽娜;谷惠敏 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 在不使用任何镀覆引线的情况下,以半加成方式通过电镀Au制造的封装基片和制造该封装基片的方法。该步骤包括下列步骤:在具有通孔的基底和通孔的内表面上形成第一铜镀层,在第一铜镀层上涂覆第一抗蚀剂,部分除去第一抗蚀剂,从而露出分别与将镀覆的电路图形的区域对应的部分第一铜镀层,在第一铜镀层的露出部分上形成第二铜镀层,剥离第一铜镀层,在得到的结构上涂覆第二抗蚀剂,从将形成引线键合焊盘和焊料球焊盘的区域除去第二抗蚀剂,除去第一铜镀层的露出部分,形成引线键合焊盘和焊料球焊盘,除去第二抗蚀剂,除去第一铜镀层的露出部分,在所得到的结构的所有表面上涂覆阻焊剂,除去分别覆盖引线键合焊盘和焊料球焊盘的阻焊剂部分。 | ||
搜索关键词: | 利用 引线 电镀 工艺 制造 封装 及其 方法 | ||
【主权项】:
1.一种不使用任何镀覆引线制造封装基片的方法,包括步骤:a)在形成有多个通孔的基底的所有表面和通孔的内表面上镀覆铜,从而形成第一铜镀层;b)在第一铜镀层上涂覆用于镀覆工艺的第一抗蚀剂,部分除去第一抗蚀剂,从而露出分别与将镀覆的电路图形区域相对应的第一铜镀层的预定部分;c)在第一铜镀层的露出部分上镀覆铜,从而形成第二铜镀层;d)剥离剩余在第一铜镀层上的第一抗蚀剂;e)在完成步骤d)之后得到的结构的所有表面上涂覆用于镀覆工艺的第二抗蚀剂,从将形成引线键合焊盘和焊料球焊盘的区域除去第二抗蚀剂;f)利用蚀刻剂除去没有被第二抗蚀剂覆盖而露出的第一铜镀层部分;g)利用电镀Ni-Au工艺在没有被第二抗蚀剂覆盖而露出的第二铜镀层部分上形成Au层,从而形成引线键合焊盘和焊料球焊盘;h)利用剥离溶液除去结构上剩余的第二抗蚀剂;i)利用蚀刻剂除去由于第二抗蚀剂的除去而露出的第一铜镀层部分;和j)在完成步骤i)之后得到的结构的所有表面上涂覆阻焊剂,并且除去分别覆盖引线键合焊盘和焊料球焊盘的阻焊剂部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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