[发明专利]光学蓝宝石晶体基片的研磨工艺无效
| 申请号： | 03141638.1 | 申请日： | 2003-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN1569396A | 公开（公告）日： | 2005-01-26 |
| 发明（设计）人： | 汪开庆 | 申请（专利权）人： | 上海新华霞实业有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201400上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光学蓝宝石晶体基片的研磨工艺，主要包括粗磨、精磨和抛光等工艺步骤。按照本发明的研磨工艺获得的蓝宝石晶体基片，一次合格率为大于98.5％，基片的表面粗糙度小于0.3纳米，平面度小于5微米，平整平行度为±0.025毫米，厚薄尺寸公差小于±0.025毫米。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 蓝宝石 晶体 研磨 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种光学蓝宝石晶体基片的研磨工艺，依次包括下述工艺步骤：(1)粗磨：用13-16号金刚砂按照30-50％的比例与水混合作为研磨液，中间采用玻璃纤维板作元件相互隔离上下研磨，采用一般砂盘作为研磨盘，转速控制在300-600转/分，上下对磨；(2)精磨：用2-9号金刚砂按照30-50％的比例与水混合作研磨液，中间采用粗磨相同的玻璃纤维板作元件的隔离板，转速控制在300-600转/分上下对磨，砂盘和粗磨用的砂盘相同；(3)抛光：用金刚石抛光液，抛光盘采用金刚石抛光皮粘于上下研磨盘上，中间隔离板于粗磨精磨的玻璃纤维板相同，转速控制在350-600转/分，温度控制在25-45℃之间，在抛光机上完成抛光过程。
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