[发明专利]铜电镀方法无效
| 申请号： | 03141565.2 | 申请日： | 2003-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN1571121A | 公开（公告）日： | 2005-01-26 |
| 发明（设计）人： | 姜庆堂;吴廷斌 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/288 | 分类号： | H01L21/288;H01L21/445 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种用于铜制程的铜电镀方法，以去离子水稀释低浓度的H2O2所形成的清洗液，清洗形成有铜种子层的基底，以致于在该铜种子层的表面上形成铜氧化物，然后将该基底置于包含硫酸铜(CuSO4)及硫酸(H2SO4)的电解液中，以移除该铜种子层上的铜氧化物，最后执行铜电镀以在曝露的新铜种子层上无缝地生长铜，藉以取得实质上无缺陷的铜导线及/或铜栓塞。 | ||
| 搜索关键词： | 电镀 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于铜制程的铜电镀方法；包括下述步骤：清洗步骤，以去离子水稀释低浓度的H2O2所形成的清洗液，清洗形成有铜种子层的基底，以致于在该铜种子层的表面上形成铜氧化物；铜氧化物移除步骤，将该基底置于包含硫酸铜及硫酸的电解液中，以移除该铜种子层上的铜氧化物；及电镀步骤，执行铜电镀以在曝露的新铜种子层上生长铜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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