[发明专利]热增强型球栅阵列集成电路封装基板制造方法及封装基板无效
| 申请号： | 03140457.X | 申请日： | 2003-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN1591805A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 尤宁圻;朱惠贤;陈金富;兰赤军;张士茜;张烈洋 | 申请（专利权）人： | 美龙翔微电子科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H05K3/00;H01L23/12;H01L23/50 |
| 代理公司： | 深圳市中知专利代理有限责任公司 | 代理人： | 王锁林 |
| 地址： | 518038广东省深圳市福*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种热增强型BGA集成电路封装基板制造方法，包括：a.在不锈钢板上整板电镀铜箔，在所述铜箔上形成BGA导电图形，并设置绝缘介质层；b.在散热铜板表面形成导热铜柱；c.将散热铜板带有导热铜柱的一面与不锈钢板的具有BGA导电图形的一面对叠，通过真空热压板工艺促使散热铜板与绝缘介质层、不锈钢板固化粘接；d.剥离不锈钢板，去除铜箔，在BGA导电图形上形成阻焊层，电镀BGA导线图形的金属球拍、邦定手指和环处；e.开设IC封装空腔，然后分割成若干单个基板单元。其构思新颖，制造工艺简单，导电图形嵌在绝缘介质内，具有导热铜柱结构，散热能力大大提高，并能形成较细线路，封装的可靠性好。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 型球栅 阵列 集成电路 封装 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种热增强型球栅阵列集成电路封装基板制造方法，其特征是包括如下步骤：a、在不锈钢板上整板电镀铜箔，在所述铜箔上形成BGA导电图形，在所述BGA导电图形上设置半固化状态的绝缘介质层；b、在散热铜板表面通过图形电镀技术形成导热铜柱，然后通过氧化处理形成一层促进层；c、将散热铜板带有导热铜柱的一面与不锈钢板具有BGA导电图形的一面对叠，使散热铜板上的导热铜柱与不锈钢板上导电图形的接地球拍上下对准，然后通过真空热压板工艺促使散热铜板与绝缘介质层、不锈钢板固化粘接；d、剥离不锈钢板，去除铜箔，在露出的BGA导电图形上形成阻焊层，电镀BGA导线图形的金属球拍、邦定手指和环处，形成镍层、金层；e、开设IC封装用的空腔，然后将整板分割成若干单个基板单元。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美龙翔微电子科技（深圳）有限公司，未经美龙翔微电子科技（深圳）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03140457.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
