[发明专利]制造非晶金属氧化物膜的方法以及制造具有非晶金属氧化物膜的电容元件和半导体器件的方法无效
| 申请号： | 03138457.9 | 申请日： | 2003-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN1455441A | 公开（公告）日： | 2003-11-12 |
| 发明（设计）人： | 足立研;堀内悟志;幸本彻哉 | 申请（专利权）人： | 索尼公司;CVR株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/70 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 郑立柱,梁永 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 进行一种用于淀积非晶金属氧化膜，例如非晶氧化钽膜的膜淀积工艺以及一种用于改善所述非晶金属氧化膜的膜性能的膜处理工艺，其中使所述非晶金属氧化物膜维持在非晶状态，其是通过基于离子和自由基反应的高密度等离子体辐射处理保持所述非晶金属氧化物膜的非晶状态，且所述离子和自由基反应在高于5mA/cm2的离子电流密度下至少包含氧，因此，在整个工艺中低温处理成为可能。另外，由于可以淀积膜特性极好的非晶金属氧化膜，非晶金属氧化膜可以有很高的可靠性并能低廉地生产。通过低温处理可低廉地制造膜特性极好的非晶氧化钽膜。同样，当制造具有非晶金属氧化膜的电容元件和半导体器件时，可以通过低温处理淀积膜特性极好的非晶金属氧化膜并且可制造高可靠性的电容元件和半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 金属 氧化物 方法 以及 具有 电容 元件 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、一种制造非晶金属氧化膜的方法，包括：用于淀积非晶金属氧化膜的步骤；和用于改善所述非晶金属氧化膜的膜性能的膜处理步骤，其中使所述非晶金属氧化物膜维持在非晶状态，其是通过基于离子和自由基反应的高密度等离子体辐射处理保持所述非晶金属氧化物膜的非晶状态，且所述离子和自由基反应在高于5mA/cm2的离子电流密度下至少包含氧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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