[发明专利]应用电容测量射频信号功率的射频功率传感器无效
| 申请号： | 03138453.6 | 申请日： | 2003-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN1455261A | 公开（公告）日： | 2003-11-12 |
| 发明（设计）人： | 沈东河;宋寅相;金永一;朴仙姬;弘荣泽;闵桐基 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G01R21/01 | 分类号： | G01R21/01 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 魏晓刚,李晓舒 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 应用电容测量射频信号功率的射频功率传感器包括：最好用半导体形成的基底，如硅，或电介质材料构成，固定在基底上的固定部件构成用于传输射频信号的信号线及地线，以及跨越信号线连接在地线间的桥体，其中桥体受到外驱动力的作用，外驱动力在桥体与信号线之间感应电容。相应地，通过信号线与桥体之间的电容测量射频信号功率。射频功率传感器促进匹配，减少插入损耗，由于其基于传输线路所具有的特性阻抗，可以在非常宽频带中使用。根据对桥体所进行的设计还可对大功率进行测量。 | ||
| 搜索关键词： | 应用 电容 测量 射频 信号 功率 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种射频功率传感器包括：基底；固定在基底上的固定部件，并构成用于传输射频信号的信号线和地线；和连接到地线并跨越信号线路的桥体，其中，桥体受到外驱动力的作用，外驱动力在桥体与信号线之间感应电容。
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