[发明专利]半导体装置和电容测量方法

摘要

一种半导体装置和电容测量方法，CBCM测量装置具有：PMIS晶体管(11)和(12)、NMIS晶体管(13)和(14)、与第一节点(N1)相连的参照用第一导体部(15)、在与参照用第一导体部之间构成虚设电容的参照用第二导体部(17)、与第二节点相连的测试用第一导体部、与测试用第一导体部之间构成测试电容的第二导体部(18)。通过控制电压(V1、V2)，控制各晶体管的导通和截止，从流过第一、第二节点的电流测量测试电容器中的目标电容器的电容。通过增大虚设电容，使电容测量精度提高。提供电容的测量精度高的半导体装置或电容的测量方法。

主权项

1.一种半导体装置，具有设置在半导体衬底的一部分上的电容测量用电路，其特征在于：所述电容测量用电路具有参照电路和测试电路，所述参照电路具有：将导通和截止的时刻被控制为彼此不同的2个参照用开关元件、夹住第一节点地串联连接而形成的参照用串联电路；用于向所述参照用串联电路的两端供给具有高低差的电压的1对第一电压供给部；与所述第一节点相连的参照用第一导体部；以及在与所述参照用第一导体部之间，构成具有虚设电容的虚设电容器的参照用第二导体部，所述测试电路具有：将导通和截止的时刻被控制为彼此不同的2个测试用开关元件、夹住第二节点地串联连接而形成的测试用串联电路；用于向所述测试用串联电路的两端供给具有高低差的电压的1对第二电压供给部；与所述第二节点相连的测试用第一导体部；以及在与所述测试用第一导体部之间，构成具有用所述虚设电容和目标电容之和所表示的测试电容的测试电容器的测试用第二导体部，具有：用于抑制因所述电容测量用电路的各开关元件的上过冲或下过冲所引起的电压变化量的电压抑制部件。