[发明专利]具有部分垂直信道的存储单元的主动区自对准制程

摘要

本发明提供一种具有部分垂直信道的存储单元的主动区自对准制程，首先，提供一半导体基底，半导体基底包含有二深沟槽；接着，于每一深沟槽内形成一深沟槽电容，深沟槽电容低于半导体基底表面，于每一深沟槽电容表面上形成一隔绝层；然后，于每一深沟槽内填满一罩幕层，且于深沟槽间的半导体基底上形成一光阻层，其中光阻层覆盖罩幕层的部分表面；以光阻层及罩幕层为蚀刻罩幕，蚀刻半导体基底至低于隔绝层的高度；及去除光阻层及罩幕层，其中深沟槽电容间的突出柱状半导体基底即为一主动区。

主权项

1.一种具有部分垂直信道的存储单元的主动区自对准制程，包括下列步骤：提供一半导体基底，该半导体基底包含有二深沟槽；于每一深沟槽内形成一深沟槽电容，该深沟槽电容低于该半导体基底表面；于每一深沟槽电容表面上形成一隔绝层；于每一深沟槽内填满一罩幕层；于该深沟槽间的该半导体基底上形成一光阻层，其中该光阻层覆盖该罩幕层的部分表面；以该光阻层及该罩幕层为蚀刻罩幕，蚀刻该半导体基底至低于该隔绝层的高度；及去除该光阻层及该罩幕层，其中该深沟槽电容间的突出柱状的该半导体基底即为一主动区。