[发明专利]采用垂直纳米管的存储器件

摘要

本发明公开了一种采用垂直纳米管的存储器件。该存储器件包括条状第一电极的阵列、介电层、纳米管阵列、条状第二电极的阵列、存储单元和栅极电极。介电层设置在第一电极阵列上，并具有多个孔。该纳米管阵列接触第一电极阵列，通过该介电层的孔而垂直生长，并发射电子。第二电极阵列接触纳米管阵列，且第二电极垂直于第一电极地排列在该介电层上。存储单元位于第二电极阵列上，并俘获从纳米管阵列中发出的电子。栅极电极设置在存储单元的上表面上，并在纳米管阵列周围形成电场。因此，该存储器件得以高度集成并具有大的容量。

主权项

1.一种利用垂直纳米管的存储器件，该存储器件包括：条状第一电极的阵列；介电层，其设置在第一电极阵列上，且具有多个布置在该介电层中的孔；纳米管阵列，其接触第一电极阵列，穿过该介电层的孔垂直生长，并发射电子；条状第二电极的阵列，其接触纳米管阵列，且垂直于第一电极地排列在该介电层上；存储单元，其位于第二电极阵列上，并俘获从纳米管阵列中发出的电子；以及栅极电极，其位于存储单元的上表面上，并在纳米管阵列周围形成电场。