[发明专利]结晶装置、结晶方法、薄膜晶体管以及显示装置无效
| 申请号： | 03133128.9 | 申请日： | 2003-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN1477677A | 公开（公告）日： | 2004-02-25 |
| 发明（设计）人： | 谷口幸夫;松村正清;山口弘高;西谷干彦;辻川晋;木村嘉伸;十文字正之 | 申请（专利权）人： | 株式会社液晶先端技术开发中心 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/324;H01L29/786;G02F1/136 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 韩宏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明针对包括照射一相移掩模(4)的一照明系统(2)的结晶装置，其中相移掩模(4)将来自照明系统(2)的光束转换成具有在与该相移掩模(4)的相移部分(4e)相应的区域中具有最小光强度的反峰值图形的光强度分布的光束。该结晶装置进一步包括一光学部件(1，11，12，13，14，15)，以便基于来自该照明系统(2)的光，在一预定平面上形成具有在与该相移部分对应的区域中光强度最小，并且朝该区域的周边增加的凹面图形的光强度分布；以及一成像光学系统(3)，将该多晶半导体膜或非晶半导体膜的表面或其共轭平面以及该预定平面设置成一光学上的共轭关系。 | ||
| 搜索关键词： | 结晶 装置 方法 薄膜晶体管 以及 显示装置 | ||
【主权项】：
1、一种结晶装置，包括一照明系统，所述照明系统照射一相移掩模，以便用具有在与所述相移掩模的一相移部分对应的区域，具有最小光强度的反峰值图形的光强度分布的光束照射多晶半导体膜或非晶半导体膜，以产生结晶半导体膜，其特征在于包括：一光学部件，基于来自所述照明系统的光，在一预定平面上形成一凹面图形的光强度分布，该凹面图形的光强度分布具有在与所述相移部分对应的一区域中最小，并且朝所述区域的周边增加的光强度；以及一成像光学系统，将所述多晶半导体膜或非晶半导体膜的一表面或其共轭平面，与所述预定平面设置成一光学上的共轭关系。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
