[发明专利]发光二极管的构造改良无效
| 申请号： | 03133084.3 | 申请日： | 2003-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN1477722A | 公开（公告）日： | 2004-02-25 |
| 发明（设计）人： | 林明德;许荣贵;林三宝 | 申请（专利权）人： | 光磊科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种发光二极管，尤指一种可适用于平面型发光二极管的构造改良，其主要是利用一导电片直接固着于发光二极管磊晶片的第一电极或第二电极，用以取代现有覆晶发光二极管的锡球构造，如此不仅可增加其散热效率以增加其稳定度及使用寿命，亦可在不使用覆晶发光二极管的封装制作方式下，即可得到与覆晶发光二极体相同的发光导出效果。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 构造 改良 | ||
【主权项】：
1、一种发光二极管的构造改良，其特征在于，其主要构造是包括有：一晶粒基板；一固设于该晶粒基板上具有一PN界面的发光二极体磊晶层，该磊晶层的同一表面部分位置个别设有一第一电极及一第二电极；及至少一导电片，固设于该第一电极、第二电极及其组合式的其中之一。
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