[发明专利]显示设备的制造方法有效
| 申请号： | 03132897.0 | 申请日： | 2003-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN1477676A | 公开（公告）日： | 2004-02-25 |
| 发明（设计）人： | 浜田崇 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;C23C14/30;H05B33/10;G02F1/136 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;梁永 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 采用电子束蒸发法在其上形成薄膜晶体管的衬底上形成薄膜的过程中，提供了一种形成所需的薄膜而不引起薄膜晶体管特性异常的技术。该技术的特征在于，用电子束蒸发法在电连接薄膜晶体管的电极上形成薄膜的过程中，对电子的加速电压进行控制，使得当用于形成薄膜的蒸发材料受到电子束照射时，辐射线基本上不从蒸发材料中辐射出来。辐射线基本上不辐射出来表示为：对电子的加速电压进行控制，使得薄膜晶体管不会因从蒸发材料中辐射出的辐射线而受到损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 显示 设备 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造显示设备的方法，其中用电子束蒸发法在电极上形成薄膜的过程中，该电极电连接衬底上的薄膜晶体管且电极表面是暴露的，对电子的加速电压进行控制，使得当用于形成薄膜的蒸发材料受到电子束照射时，辐射线基本上不从蒸发材料中辐射出来。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
