[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 03132886.5 | 申请日： | 2003-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN1503335A | 公开（公告）日： | 2004-06-09 |
| 发明（设计）人： | 尾田秀一;佐山弘和;太田和伸;杉原浩平 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种半导体器件的制造方法，可以抑制因硅化物的形成而使漏电流增加。将抑制硅化物反应的杂质(抑制杂质)、例如锗从其上面导入源漏区16、36。接着，在源漏区16、36中，使比抑制杂质分布的区域50还浅的区域变成硅化物，在源漏区16、36形成硅化物膜51。通过这样使比抑制杂质分布的区域50还浅的区域变成硅化物，可以抑制硅化物反应向变成硅化物的区域的下方进行，可以降低源漏区16、36和阱区之间的接合漏泄。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：(a)准备在其上面具有第1导电型的第1杂质区和第2导电型的第2杂质区，且所述第2杂质区设在所述第1杂质区的上面的半导体衬底的工序；(b)将抑制硅化物反应的杂质从其上面导入所述第2杂质区的工序；(c)在所述工序(b)之后，在所述第2杂质区中，从其上面开始，使比用所述工序(b)导入的所述杂质分布的区域的下限还浅的区域变成硅化物的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社瑞萨科技，未经株式会社瑞萨科技许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03132886.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
