[发明专利]光刻装置、器件制造方法及其由此而制造的器件无效
| 申请号: | 03132799.0 | 申请日: | 2003-08-27 |
| 公开(公告)号: | CN1510516A | 公开(公告)日: | 2004-07-07 |
| 发明(设计)人: | K·范恩根谢诺 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F7/00;H01L21/68;H01L21/027 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 章社杲 |
| 地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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| 摘要: | 本发明提出光刻装置、器件制造方法及其由此而制造的器件。在密封有基片平台WT的壳体10与用于制备基片的处理单元11之间传递基片,在一个基本不含杂质的环境中进行,这样基片上的抗蚀剂在杂质中暴露的最少,其中处理单元用于使基片曝光并在曝光后对基片进行处理。 | ||
| 搜索关键词: | 光刻 装置 器件 制造 方法 及其 由此 | ||
【主权项】:
1.一种光刻的投影装置,包括:-提供投影辐射束的辐射系统;-支撑图案形成部件的支撑结构,该图案形成部件用于使投影束形成所需要的图案;-用于保持基片的基片平台;-投影系统,用于将形成有图案的光束投影到基片上的靶部;-处理单元,在基片曝光于投影束之前和/或之后用于处理基片;-传输单元,用于在基片平台和处理单元之间传输基片;其特征在于具有用于控制传输单元中各杂质组分的分压力的部件,可将水的分压力控制至小于1×10-2毫巴,将烃的分压力控制至小于1×10-4毫巴,将氨类物质例如氨的分压力控制至小于1×10-6毫巴,最好小于1×10-7毫巴。
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