[发明专利]半导体激光装置无效
| 申请号： | 03131311.6 | 申请日： | 2003-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN1484350A | 公开（公告）日： | 2004-03-24 |
| 发明（设计）人： | 中山毅 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能减少大电流时光输出功率的降低、斜率效率高的、跟传统半导体激光器相比近场图样变化不大的半导体激光器，其中设有：在p－InP衬底12上设置的p－InP包层14，在该p－InP包层14上设置的活性区16，在该活性区16上设置的n－InP包层18a，在该n－InP包层18a上设置的n－InP包层18b，以及在比位于n－InP包层18a和n－InP包层18b之间的活性区16发出的激光的近场图形的光强实质上为0的位置更接近活性区16的位置叠层的、厚度为0.05～0.3μm的、光强的分布重心偏向n侧的半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光装置，其中设有：第一导电型的半导体衬底；在所述半导体衬底上设置的第一导电型的第一包层；在所述第一包层上设置的活性层；在所述活性层上设置的第二导电型的第二包层；以及在比所述活性层发出的激光的近场图样的光强实质上为0的位置更靠近所述活性层的部位层叠的、具有0.05～0.3μm厚度的、使光强的分布重心向n侧偏移的半导体层。
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