[发明专利]图案形成方法无效
| 申请号： | 03131009.5 | 申请日： | 2003-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN1461040A | 公开（公告）日： | 2003-12-10 |
| 发明（设计）人： | 远藤政孝;笹子胜 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种图案形成方法，在基板(10)上面形成表面粗糙的低介电常数绝缘膜(11)之后，在腔室(12)的内部，通过超临界流体(14)对低介电常数绝缘膜(11)进行表面处理，使低介电常数绝缘膜(11)的表面平滑化。然后在表面被平滑化的低介电常数绝缘膜(11)上面涂布化学放大型抗蚀剂，而形成抗蚀剂膜(16)之后，对该抗蚀剂膜(16)进行图案曝光。对经图案曝光的抗蚀剂膜(16)进行显影、冲洗和干燥，形成抗蚀图(19)。通过上述图案形成方法，在化学放大型抗蚀图中不产生或褶边缝边或咬边，提高图案形状。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种图案形成方法，其特征在于，具有：在超临界流体中处理具有空穴或含有机材料的被处理膜，而将所述被处理膜的表面光滑化的工序；在被光滑化的被处理膜的上面形成由化学放大型抗蚀剂构成的抗蚀剂膜的工序；对于所述抗蚀剂膜选择性地照射用于曝光的光而进行图案曝光的工序；对经图案曝光的所述抗蚀剂膜进行显影而形成抗蚀图的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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