[发明专利]具备磁隧道结的薄膜磁性体存储器无效
| 申请号： | 03130943.7 | 申请日： | 2003-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN1480945A | 公开（公告）日： | 2004-03-10 |
| 发明（设计）人： | 日高秀人;石川正敏;大石司 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 作为与读出电流路径连接的晶体管组的1个的MTJ存储单元中的存取晶体管(ATR)使用在半导体衬底SUB上的绝缘膜(200)上形成的半导体层(205)来制造，包含杂质区(110、120)、栅区(130)和体区(210)。即，为了削减其关断漏泄电流，用SOI(绝缘体上的硅)结构来制造存取晶体管(ATR)。 | ||
| 搜索关键词： | 具备 隧道 薄膜 磁性 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜磁性体存储器，其特征在于，具备：多个磁性体存储单元，被配置成行列状，具有其电阻分别随以磁的方式写入的存储数据变化的磁阻元件；数据线，在数据读出时流过与选择存储单元的存储数据对应的读出电流，其中上述选择存储单元与上述多个磁性体存储单元中的地址信号相对应；以及外围电路，用来对上述选择存储单元进行数据读出和数据写入，上述外围电路包含根据上述读出电流来读出上述选择存储单元的存储数据的读出放大器电路，与上述读出电流的电流路径导电性地结合的晶体管中的至少一部分的每单位尺寸的电流漏泄量被设计成比上述外围电路中的其它的晶体管中的每单位尺寸的电流漏泄量为最大的至少一部分的电流漏泄量小。
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