[发明专利]用于静电放电保护的双向可控硅整流器有效
| 申请号： | 03128670.4 | 申请日： | 2003-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN1457097A | 公开（公告）日： | 2003-11-19 |
| 发明（设计）人： | 张智毅 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L29/74 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种在硅层中形成的双向可控硅整流器，该整流器设置在浅槽隔离上，因而与衬底电气隔离，以便使其对衬底噪声不敏感，以用于静电放电保护。一种包括半导体衬底的静电放电保护器件包括：第一p型部分，与第一p型部分邻接的第一n型部分，与第一p型部分和第一n型部分邻接的第二p型部分，第二n型部分，第三p型部分，与第三p型部分邻接的第三n型部分，和与第三p型部分和第三n型部分邻接的第四p型部分，其中第一p型部分，第二p型部分，第三p型部分，第四p型部分，第一n型部分，第二n型部分，第三n型部分中至少一个与隔离结构重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 静电 放电 保护 双向 可控 硅整流器 | ||
【主权项】：
1.一种静电放电保护器件，包括：半导体衬底；在半导体衬底中形成的隔离结构；设置在半导体衬底上并与隔离结构接触的电介质层；以及形成于电解质层上的硅层，该硅层包括第一p型部分，与第一p型部分邻接的第一n型部分，与第一p型部分和第一n型部分邻接的第二p型部分，第二n型部分，第三p型部分，与第三p型部分邻接的第三n型部分，与第三p型部分和第三n型部分邻接的第四p型部分，其中第一p型部分，第二p型部分，第三p型部分和第四p型部分中的至少一个与隔离结构重叠以提供静电放电保护。
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