[发明专利]铌酸盐高频介电陶瓷及其制备方法无效
| 申请号： | 03128132.X | 申请日： | 2003-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN1472171A | 公开（公告）日： | 2004-02-04 |
| 发明（设计）人： | 张辉;方亮;洪学鹍;孟范成;杨俊峰;黄涛华;袁润章;刘韩星 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/495 | 分类号： | C04B35/495;C04B35/622;H01B3/12 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人： | 张安国 |
| 地址： | 430070湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一类用于微波元器件及陶瓷电容器或温度补偿电容器的铌酸盐高频介电陶瓷，该陶瓷以(Ba1－ySry)7－x(LasNdtBiu)xTi2+xNb4－xO21为主相，其中0.00≤x≤3，0.00≤y≤1，s+t+u＝1，采用相应的方法制备，本陶瓷烧结良好，高频介电常数达到50～95，损耗低，谐振频率温度系数小，在工业上有着极大的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 铌酸盐 高频 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一类铌酸盐高频介电陶瓷，其特征是由氧化物形式的Ba、Sr、La、Nd、Bi、Ti与Nb组成，并以下述组成的相为主相 (Ba1-ySry)7-x(LasNdtBiu)xTi2+xNb4-xO21 式中，0.00≤x≤3，0.00≤y≤1 s+t+u＝1
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