[发明专利]宽光谱带宽超辐射发光二极管的制作方法及其二极管有效
| 申请号： | 03128019.6 | 申请日： | 2003-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN1549354A | 公开（公告）日： | 2004-11-24 |
| 发明（设计）人： | 江山;王定理;张军;刘应军 | 申请（专利权）人： | 武汉光迅科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 武汉开元专利代理有限责任公司 | 代理人： | 刘志菊 |
| 地址： | 430074湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明为宽光谱带宽超辐射发光二极管的制作方法及其二极管，其有源区由两段或两段以上组成，采用选择区域外延生长方法制作，具有呈梯度分布的带隙结构。沿发光管某一出光方向，离出光端面远的有源区发光波长大于靠近端面的发光波长，沿此方向传输的光能透明地传输，因此发光二极管在这一方向上的发光光谱谱宽为沿此方向的多段有源区光谱谱宽的叠加，从而达到增加发光二极管的光谱带宽的目的；同时沿与此出光端面相反方向传输的光被吸收。 | ||
| 搜索关键词： | 光谱 带宽 辐射 发光二极管 制作方法 及其 二极管 | ||
【主权项】：
1.一种宽光谱带宽超辐射发光二极管的制作方法，采用多量子阱有源区结构材料，通过外延生长，光刻、刻蚀、介质膜生长、电极制作工艺，其特征是有源区通过选择区域外延生长方法制作，形成各区域带隙结构的梯度分布，相应地改变其自发辐射波长，达到增加光谱带宽的目的。
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