[发明专利]表面发射型发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 03127581.8 | 申请日： | 2003-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN1474465A | 公开（公告）日： | 2004-02-11 |
| 发明（设计）人： | 李奇映;林时钟 | 申请（专利权）人： | LG电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 张天舒;袁炳泽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种表面发射型发光二极管，该表面发射型发光二极管包括：基片；p－n结层，其设置在基片的一部分上用于发射光；以及第一隔离层，其形成在p－n结层的侧壁以及p－n结层的顶表面的除去该顶表面的中心区域以外的外围部分上。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 发射 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种表面发射型发光二极管，包括：基片；p-n结层，其设置在基片的一部分上用于发射光；以及第一隔离层，其形成在p-n结层的侧壁以及p-n结层的顶表面的除去该顶表面的中心区域以外的外围部分上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG电子株式会社，未经LG电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03127581.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种制作白光发光二极管的方法
- 下一篇：发光元件及其制造方法
