[发明专利]半导体存储器件及其检查方法无效
| 申请号： | 03127505.2 | 申请日： | 2003-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN1480947A | 公开（公告）日： | 2004-03-10 |
| 发明（设计）人： | 贞方博之;黑田直喜 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34;G11C29/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;叶恺东 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 近年的系统LSI根据系统侧的要求，在1个芯片上载放多个容量和位宽度不同的RAM。但是，在检查多个RAM时，即使对各RAM准备了专用端子，对于容量不同的RAM，由于内部X、Y地址分配不同，所以不能用同一测试图形（例如HALF－MARCH）检查，必需按同一容量RAM进行分组并检查，导致检查时间变长。作为RAM控制信号设置外部地址信号和测试专用地址信号，在后者的情况下，使1个芯片内的容量最大的RAM3的X、Y地址数和其它RAM4、5相同，使各RAM3～5的X、Y地址分配相同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 检查 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，具有在同一衬底上存储空间大小不同的多个RAM、和将各RAM的地址信号数都统一到地址空间大的地址信号数的部件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社，未经松下电器产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03127505.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：多位磁性存储器
- 下一篇：可削减输入输出端子的半导体存储器
