[发明专利]一种制备高介电常数微波介质陶瓷的方法无效

专利信息
申请号: 03125369.5 申请日: 2003-09-02
公开(公告)号: CN1519216A 公开(公告)日: 2004-08-11
发明(设计)人: 周东祥;龚树萍;徐建梅;黄国华 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: C04B35/462 分类号: C04B35/462;C04B35/50;C04B35/622;H01B3/12
代理公司: 华中科技大学专利中心 代理人: 曹葆青
地址: 430074湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种制备高介电常数微波介质陶瓷的方法,其原料的摩尔量百分比为:Ba(OH)211.85-28.25,Ln(NO3)320.47-33.23,TiCl445.51-67.34,其中Ln为La或Sm,其处理步骤为:①将TiCl4充分水解得到偏钛酸沉淀;②将偏钛酸沉淀与硝酸镧或硝酸钐按上述配比一起放入密闭的高压反应釜中,在200~350℃下进行反应,制得钛酸镧或钛酸钐;③过滤、洗涤、干燥后,再加入氢氧化钡,在密闭的高压反应釜中进行反应,制得含有目标相的微波介质陶瓷粉末;④过滤、洗涤、干燥后,直接造粒、成型,在1200~1350℃大气气氛中烧结处理。本发明所制备的微波介质陶瓷的介电常数可达80~120,品质因数大于5000,谐振频率温度系数τf的绝对值可小于15ppm/℃。
搜索关键词: 一种 制备 介电常数 微波 介质 陶瓷 方法
【主权项】:
1、一种制备高介电常数微波介质陶瓷的方法,其原料的摩尔量百分比为:Ba(OH)2 11.85--28.25Ln(NO3)3 20.47--33.23TiCl4 45.51--67.34其中Ln为La或Sm,其处理步骤为:①、将TiCl4充分水解得到偏钛酸沉淀;②、将偏钛酸沉淀与硝酸镧或硝酸钐按上述配比一起放入密闭的高压反应釜中,在200~350℃下进行反应,制得钛酸镧或钛酸钐;③、将钛酸镧或钛酸钐过滤、洗涤、干燥后,再按上述比例加入氢氧化钡,在密闭的高压反应釜中进行反应,反应温度为200~350℃,制得含有目标相的微波介质陶瓷粉末;④、将微波介质陶瓷粉末过滤、洗涤、干燥后,直接造粒、成型,在1200~1350℃大气气氛中烧结处理即可。
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