[发明专利]材料层的分离处理方法有效
| 申请号： | 03124109.3 | 申请日： | 2003-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN1479353A | 公开（公告）日： | 2004-03-03 |
| 发明（设计）人： | W·施瓦岑巴赫;C·马勒维尔 | 申请（专利权）人： | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 根据限定在材料两层之间的脆化表面来分离材料两层的处理方法，该处理方法包括对包括上述层的结构进行热退火，所述退火将温度从初始温度升至最终退火温度，其特征在于在热退火期间，形成退火温度，其在第一阶段进展升至过渡温度，然后根据第二阶段进展，在第二阶段期间每单位时间温度的上升大于在第一阶段期间的温度上升。本发明还涉及使用该处理方法的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 材料 分离 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.根据限定在两层之间的脆化表面分离材料两层的处理方法，该处理方法包括对包括上述层的结构(10)的热退火，上述退火将温度从初始退火温度升至最终退火温度，其特征在于：在热退火期间，形成退火温度，其以第一阶段进展至过渡温度，然后以第二阶段进展，在第二阶段期间每单位时间温度的上升大于在第一阶段期间的温度上升。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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