[发明专利]蚀刻剂及蚀刻方法有效
| 申请号： | 03124018.6 | 申请日： | 2003-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN1453829A | 公开（公告）日： | 2003-11-05 |
| 发明（设计）人： | 齐藤范之;吉田卓司;井上和武;石川诚;上原口好夫 | 申请（专利权）人： | 三菱化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/465;C23F1/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢新华,罗才希 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于通过湿蚀刻对金属薄膜形成图案的蚀刻剂，尤其用于生产诸如半导体元件和液晶显示器元件的半导体器件的一种蚀刻剂，是要应用于一种多层膜上，这种多层膜具有由铝或铝合金构成的第一层和其上形成的由各含至少一种选自氮，氧、硅和碳元素的铝或铝合金构成的第二层，和含有磷酸量35～65重量％及硝酸量0.5～15重量％；和利用该蚀刻剂进行蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于多层膜的蚀刻剂，该多层膜包括含有铝或铝合金的第一层及第一层上形成的各含选自氮、氧、硅和碳的至少一种元素的铝或铝合金的第二层，该蚀刻剂的磷酸含量35～65重量％和硝酸含量0.5～15重量％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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